GaAs HBT可达5G NR水平（全面向下兼容4G LTE应用）

超高外延隔离度，5μm间距设计其隔离阻值可达2.5亿欧姆以上

业内独创双层PBO平坦化工艺，释放芯片表面应力，同时解决封装应力