GHE25A1为0.25μm增强型/0.5μm耗尽型pHEMT工艺平台，提供高性能、低成本的射频解决方案

噪声系数低于0.4dB，功率增益超35dB，性能显著优于射频芯片代工行业的主要竞品

提供耐压更高的PIN二极管，实现紧凑的电路布局设计，同时也提供强大的ESD防护

选择HXM的pHEMT工艺平台，就是选择高性能、低成本、高可靠性的射频未来