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HEMT
HEMT
高电子迁移率晶体管（High Electron Mobility Transistor, HEMT）是一种复合半导体场效应晶体管（FETs），它使用两种具有不同能隙的材料，通常包括一个宽禁带半导体（如AlGaAs）和一个窄禁带半导体（如GaAs）形成异质结，在结界面形成二维电子气层为载流子提供沟道。器件的栅极（Gate）则通过肖特基势垒（Schottky barrier）与源/漏极（Source/drain）一同控制和调节二维电子气层中的电子流。III-V族化合物半导体因其高电子迁移率、击穿场强和更易得的异质结构，能实现HEMT器件高速、高功率和稳定性等多项优秀性能。
品类介绍
III-V族化合半导体HEMT（包括增强型Enhancement-mode和耗尽型Depletion-mode）因其卓越的性能和广泛的应用前景，在集成电路乃至半导体行业的成熟工业产品和新兴领域中都占据重要地位：
1. 5G及未来无线通信：III-V族化合物半导体HEMT的高电子迁移率（可达13500 cm2 V-1 s-1）、低噪声系数和宽频带（覆盖10 GHz-1 THz频段）特性，充分满足现行5G及未来无线通信系统对高频、高速、低噪声电子器件的需求，是发射机、接收机和转发器等关键设备的核心器件。
2. 射频集成电路：除了在通信系统中的射频前端模块（RF front-end module）中起功率放大和信号调理的作用，III-V族化合物半导体HEMT也被广泛应用于放大器电路的低噪声放大器、开关、频率倍增器、混频器和输能放大器上。
珠海华芯微电子提供0.5 μm至0.15 μm制程增强型/耗尽型HEMT，涵盖标准化和客制化的多种方案。