异质结双极型晶体管（ Heterojunction bipolar transistor, HBT） 由双极结型晶体管（ Bipolar junction transistor, BJT） 发展而来，因在发射区 （Emitter） 、基区 （Base ）和集电区（ Collector ）使用了不同禁带宽度的半导体材料得名。这种结构允许异质结界面形成能级对齐，使载流子在发射区和基区之间的传输更为高效。III-V族化合物砷化镓（ GaAs）、磷化铟（ InP ）及衍生化合物以其直接带隙结构、禁带宽度和优秀的电子迁移率，毋庸置疑地成为HBT器件的最佳材料。

HEMT 高电子迁移率晶体管 （High Electron Mobility Transistor, HEMT ）是一种复合半导体场效应晶体管（ FETs），它使用两种具有不同能隙的材料，通常包括一个宽禁带半导体 （如AlGaAs） 和一个窄禁带半导体 如（GaAs ）形成异质结，在结界面形成二维电子气层为载流子提供沟道。器件的栅极（ Gate ）则通过肖特基势垒 （Schottky barrier） 与源/漏极 （Source/drain ）一同控制和调节二维电子气层中的电子流。III-V族化合物半导体因其高电子迁移率、击穿场强和更易得的异质结构，能实现HEMT器件高速、高功率和稳定性等多项优秀性能。