异质结双极型晶体管（Heterojunction bipolar transistor, HBT）由双极结型晶体管（Bipolar junction transistor, BJT）发展而来，因在发射区（Emitter）、基区（Base）和集电区（Collector）使用了不同禁带宽度的半导体材料得名。这种结构允许异质结界面形成能级对齐，使载流子在发射区和基区之间的传输更为高效。III-V族化合物砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）及衍生化合物以其直接带隙结构、禁带宽度和优秀的电子迁移率，毋庸置疑地成为HBT器件的最佳材料。

HEMT 高电子迁移率晶体管（High Electron Mobility Transistor, HEMT）是一种复合半导体场效应晶体管（FETs），它使用两种具有不同能隙的材料，通常包括一个宽禁带半导体（如AlGaAs）和一个窄禁带半导体（如GaAs）形成异质结，在结界面形成二维电子气层为载流子提供沟道。器件的栅极（Gate）则通过肖特基势垒（Schottky barrier）与源/漏极（Source/drain）一同控制和调节二维电子气层中的电子流。III-V族化合物半导体因其高电子迁移率、击穿场强和更易得的异质结构，能实现HEMT器件高速、高功率和稳定性等多项优秀性能。