GHE25A1 is an HXM platform dedicated to 0.25 um enhancement-mode (E-mode)/0.5 um depletion-mode (D-mode) pseudomorphic high-electron mobility transistor (pHEMT) technology, promised to deliver high-performance and cost-effective RF solutions.

With a noise figure below 0.4 dB and a power gain exceeding 35 dB, its performance significantly outperforms major competitors in the RFIC foundry industry.

It provides PIN diodes with superior coverage over Class 1 sensitivity, enabling compact circuit layout designs while offering robust ESD protection.

Choosing HXM’s pHEMT process platform is choosing a high-performance, low-cost, and highly reliable solution to the customers RFIC products.